Шаблон:Варақаи силитсий

Силитсий, ₁₄Si
Силитсий
Талаффуз	/ˈsɪl[unsupported input]kən/; (SIL-ə-kən); /ˈsɪləkɒn/; (SIL-ə-kahn);
Номи дигар	silicon
Намуди зоҳирӣ	булӯрӣ
Вазни атомии муқаррарӣ Ar, std(Si)	[28.084, 28.086] conventional: 28.085
Силитсий дар ҷадвали даврӣ
	алюминий ← силитсий → фосфор
Рақами атомӣ (Z)	14
Гурӯҳ	гурӯҳи 14 (гурӯҳи карбон)
Давр	даври 3
Блок	p-блок
Категорияи элемент	Нимметалл
Конфигуратсияи электрон	[Ne] 3s2 3p2
Электронҳо аз рӯӣ ҷилд	2, 8, 4
Хосиятҳои физикӣ
Фаза дар ҲФМ	сахт
Нуқтаи гудозиш	1687 K (1414 °C, 2577 °F)
Ҳарорати ҷӯшиш	3538 K (3265 °C, 5909 °F)
Зичӣ (наздик ба ҳ.х.)	2.3290 гр/см3
ҳангоми моеъ будан (дар н.г.)	2.57 гр/см3
Ҳарорати гудозиши хос	50.21 кҶ/мол
Ҳарорати буғшавии хос	383 кҶ/мол
Гармигунҷоиши молярӣ	19.789 Ҷ/(мол·К)
Хосиятҳои атомӣ
Дараҷаҳои оксидшавӣ	−4, −3, −2, −1, +1, +2, +3, +4 (an amphoteric oxide)
Электроманфиият	Ҷадвали Полинг: 1.90
Қувваҳои иондоршавӣ	1-ум: 786.5 кҶ/мол ; 2-юм: 1577.1 кҶ/мол ; 3-юм: 3231.6 кҶ/мол ; (бештар) ;
Радиуси атом	эмпирикӣ: 111 пм
Радиуси ковалентӣ	111 пм
Радиуси Ван дер Ваалс	210 пм
	Color lines in a spectral rangeХатҳои спектрии Варақаи силитсий
Дигар хосиятҳо
Сохтори булӯрӣ	face-centered diamond-cubic
Суръати овоз thin rod	8433 м/с (дар 20 °C)
Васеъшавии ҳароратӣ	2.6 µm/(m·K) (дар 25 °C)
Гармигузаронандагӣ	149 W/(m·K)
Муқобилияти нисбӣ	2.3×103 Ω·m (дар 20 °C)
Минатақаи мамнӯъ	1.12 eV (дар 300 K)
Тартибории магнитӣ	диамагнетик
Таъсирпазирии магнитӣ	−3.9·10−6 см3/мол (298 K)
Модули Юнг	130–188 ГПа
Модули ғеҷонидан	51–80 ГПа
Модули чандирии ҳаҷмдор	97.6 ГПа
Коэффисиенти Пуассон	0.064–0.28
Сахтии Моос	6.5
Рақами CAS	7440-21-3
Таърих
Номгузорӣ	after Latin 'silex' or 'silicis', meaning flint
Пешгӯикунанда	Антуан Лавуазйе (1787)
Кашф ва ҷудогузории аввалин	Jöns Jacob Berzelius (1823)Хатои ибора: Аломати нуқтагузории шинохтанашуда "ё"
Номгузорӣ аз тарафи	Thomas Thomson (1817)
Изотопҳои асосии силитсий
	дидан; баҳс; вироиш; \| пайвандҳо

Si P2101 data m.p. cat v
	in	calc from C	diff	report	ref
C	1414	—	—
K	1687	1687	0
F	2577	2577	0
WD	670 !Q670				normal+
input	C: 1414, K: 1687, F: 2577
comment

Si P2102 data b.p. cat v
	in	calc from C	diff	report	ref
C	3265	—	—
K	3538	3538	0
F	5909	5909	0
WD	670 !Q670				normal+
input	C: 3265, K: 3538, F: 5909
comment

PTСилитсий

Al ← i'box Al	iso 14Si E infobox E isobox	→ P i'box P
Commons Wikidata:Q670 Wiktionary Индекс дар ҶП: § поён · Саҳифа
д б в

[v] Data sets read by {{Варақаи унсури кимиёӣ}}
Name and identifiers	view · edit
Top image (caption, alt)	view · edit
Pronunciation	view · edit
Category (enwiki)	view · edit
Standard atomic weight	view · edit
most stable isotope	view · edit
Natural occurrence	view · edit
Phase at STP	view · edit
Oxidation states	view · edit
Spectral lines image	view · edit
Electron configuration (cmt, ref)	view · edit
Term symbol * (cmt, ref)	view · edit
Wikidata *	view · edit
* Not used in {{Варақаи унсури кимиёӣ}} (2019-02-03) See also {{Варақаи унсури кимиёӣ/symbol-to--navbox}}

References

These references will appear in the article, but this list appears only on this page.

↑ Ram, R. S. (1998). «Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD». J. Mol. Spectr. 190 (2): 341–352. doi:10.1006/jmsp.1998.7582. PMID 9668026.
↑ Eranna, Golla (2014). Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI. CRC Press. p. 7. ISBN 978-1-4822-3281-3.
↑ Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Шаблон:RubberBible86th
↑ Weast, Robert (1984). CRC, Handbook of Chemistry and Physics. Boca Raton, Florida: Chemical Rubber Company Publishing. pp. E110. ISBN 0-8493-0464-4.
↑ ^5.0 ^5.1 ^5.2 ^5.3 (2010) «What is the Young's Modulus of Silicon?». Journal of Microelectromechanical Systems 19 (2): 229. doi:10.1109/JMEMS.2009.2039697.
↑ Weeks, Mary Elvira (1932). «The discovery of the elements: XII. Other elements isolated with the aid of potassium and sodium: beryllium, boron, silicon, and aluminum». Journal of Chemical Education 9 (8): 1386–1412. doi:10.1021/ed009p1386. Bibcode: 1932JChEd...9.1386W.
↑ (2007) «Silicon era». Russian Journal of Applied Chemistry 80 (12). doi:10.1134/S1070427207120397.

Two of these are named references. They may be cited in the containing article as

<ref name="Eranna2014" /> for the source by Eranna
<ref name="hopcroft" /> for the source by Hopcroft

Шаблон:Documentation

[1] Ram, R. S. (1998). «Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD». J. Mol. Spectr. 190 (2): 341–352. doi:10.1006/jmsp.1998.7582. PMID 9668026.

[Eranna2014-2] Eranna, Golla (2014). Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI. CRC Press. p. 7. ISBN 978-1-4822-3281-3.

[3] Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Шаблон:RubberBible86th

[4] Weast, Robert (1984). CRC, Handbook of Chemistry and Physics. Boca Raton, Florida: Chemical Rubber Company Publishing. pp. E110. ISBN 0-8493-0464-4.

[hopcroft-5] 5.0 ^5.1 ^5.2 ^5.3 (2010) «What is the Young's Modulus of Silicon?». Journal of Microelectromechanical Systems 19 (2): 229. doi:10.1109/JMEMS.2009.2039697.

[6] Weeks, Mary Elvira (1932). «The discovery of the elements: XII. Other elements isolated with the aid of potassium and sodium: beryllium, boron, silicon, and aluminum». Journal of Chemical Education 9 (8): 1386–1412. doi:10.1021/ed009p1386. Bibcode: 1932JChEd...9.1386W.

[7] (2007) «Silicon era». Russian Journal of Applied Chemistry 80 (12). doi:10.1134/S1070427207120397.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]